e-patent > コラム > 有名な特許 > 中村修二氏の青色発光ダイオード特許(通称:404特許)

中村修二氏の青色発光ダイオード(青色LED)関連特許、半導体業界では有名なキルビー特許、一時期大ブームとなったビジネスモデル特許(ビジネス方法特許)などなどこれまでニュースや雑誌で取り上げられてきた有名な特許が数多くあります。

 

この有名な特許では過去から現在に至るまで世の中へ大きな影響を与えた有名な特許について紹介していきます。

 

 

まず第1回目は中村裁判で話題となった中村修二氏の青色発光ダイオード特許を紹介します。

 

 

中村裁判の経緯等についてはパテントサロンでまとめられていますので、そちらをご参照下さい(参考URL:青色LED特許紛争 -中村修二 vs 日亜化学-)。

 

 

中村修二氏が裁判で争った特許は特許番号第2628404号。裁判では特許番号の下3桁を取り出して言うのが慣習のようです。この裁判ではよく404特許と呼ばれていました。

 

 

この特許番号第2628404号を見てみましょう。

 

 

_2628404

【発明の名称】半導体結晶膜の成長方法
【出願番号】特願平2-288665
【出願日】平成2年(1990)10月25日
【公開番号】特開平4-164895
【公開日】平成4年(1992)6月10日
【特許番号】第2628404号
【登録日】平成9年(1997)4月18日
【発行日】平成9年(1997)7月9日

【特許権者】日亜化学工業株式会社
【発明者】中村 修二

【特許請求の範囲】
【請求項1】加熱された基板の表面に、基板に対して平行ないし傾斜する方向と、基板に対して実質的に垂直な方向からガスを供給して、加熱された基板の表面に半導体結晶膜を成長させる方法において、基板の表面に平行ないし傾斜する方向には反応ガスを供給し、基板の表面に対して実質的に垂直な方向には、反応ガスを含まない不活性ガスの押圧ガスを供給し、不活性ガスである押圧ガスが、基板の表面に平行ないし傾斜する方向に供給される反応ガスを基板表面に吹き付ける方向に方向を変更させて、半導体結晶膜を成長させることを特徴とする半導体結晶膜の成長方法。

 

 

 

 

発明者は中村修二氏1名です。この特許は青色発光ダイオードの発光素子である窒化ガリウムの結晶を作るための装置でツーフローMOCVDと呼ばれています。MOCVDとは有機金属化学気相蒸着法 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)で、特許庁のウェブサイトに掲載されている標準技術集に説明があります(1-5-1-3  MOCVD装置)。

 

 

中村裁判で上記の404特許のみが取り上げられたので、中村修二氏の他の特許についてはあまり知られていないかもしれません。しかし特許電子図書館IPDLの公報テキスト検索で

 

 

  • 公報種別:特許公報 (公告、特許)
  • 出願人/権利者:日亜化学工業
  • 発明者:中村修二

 

 

で検索すると207件がヒットします。以下はその特許番号(登録・公告)と発明の名称です。

 

 

 

1.  特公平08-008217 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
2.  特公平07-083136 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
3.  特許3724498 発光ダイオード
4.  特許3724490 発光ダイオード
5.  特許3705047 窒化物半導体発光素子
6.  特許3685682 窒化物半導体レーザ素子
7.  特許3679626 窒化ガリウム系化合物半導体チップ
8.  特許3669848 窒化物半導体レーザ素子
9.  特許3660446 窒化物半導体素子及びその製造方法
10.  特許3659050 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
11.  特許3658892 p型窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
12.  特許3658112 窒化物半導体レーザダイオード
13.  特許3657795 発光素子
14.  特許3656454 窒化物半導体レーザ素子
15.  特許3651260 窒化物半導体素子
16.  特許3647236 窒化物半導体レーザ素子
17.  特許3646649 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
18.  特許3645207 発光ダイオード
19.  特許3622045 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
20.  特許3620292 窒化物半導体素子
21.  特許3617565 窒化物半導体レーザ素子
22.  特許3604278 窒化物半導体レーザー素子
23.  特許3604205 窒化物半導体の成長方法
24.  特許3593952 窒化物半導体レーザ素子
25.  特許3565202 窒化物半導体レーザ素子
26.  特許3562455 窒化物半導体レーザ素子の形成方法
27.  特許3557894 窒化物半導体基板および窒化物半導体素子
28.  特許3551751 窒化物半導体の成長方法
29.  特許3548442 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
30.  特許3538275 窒化物半導体発光素子
31.  特許3537984 窒化物半導体レーザ素子
32.  特許3537977 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
33.  特許3529286 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
34.  特許3523700 窒化物半導体レーザ素子
35.  特許3511970 窒化物半導体発光素子
36.  特許3505167 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
37.  特許3502527 窒化物半導体レーザ素子
38.  特許3496512 窒化物半導体素子
39.  特許3496480 窒化物半導体素子
40.  特許3484997 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
41.  特許3484842 窒化物半導体レーザ素子
42.  特許3482955 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
43.  特許3478287 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法と窒化ガリウム系化合物半導体
44.  特許3478090 窒化物半導体素子
45.  特許3476636 窒化物半導体レーザ素子
46.  特許3473595 発光デバイス
47.  特許3470712 窒化物半導体レーザ素子
48.  特許3468082 窒化物半導体素子
49.  特許3460581 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
50.  特許3456413 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
51.  特許3454355 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
52.  特許3448196 窒化物半導体発光素子
53.  特許3441883 窒化物半導体レーザ素子
54.  特許3438675 窒化物半導体の成長方法
55.  特許3434162 窒化物半導体素子
56.  特許3433730 窒化物半導体発光素子
57.  特許3431389 窒化物半導体レーザ素子
58.  特許3424465 窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法
59.  特許3405334 窒化物半導体素子
60.  特許3395631 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
61.  特許3379619 窒化物半導体レーザ素子
62.  特許3374737 窒化物半導体素子
63.  特許3372226 窒化物半導体レーザ素子
64.  特許3371830 窒化物半導体発光素子
65.  特許3369089 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
66.  特許3366586 発光ダイオード
67.  特許3366188 窒化物半導体素子
68.  特許3360812 窒化物半導体素子
69.  特許3346735 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
70.  特許3344414 発光ダイオードを用いたディスプレイ
71.  特許3344056 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
72.  特許3339049 窒化物半導体レーザ素子
73.  特許3336599 窒化物半導体レーザ素子
74.  特許3334624 窒化物半導体レーザ素子
75.  特許3329753 窒化物半導体レーザ素子
76.  特許3327179 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
77.  特許3327170 発光ダイオードの製造方法
78.  特許3319585 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
79.  特許3314671 窒化物半導体素子
80.  特許3314666 窒化物半導体素子
81.  特許3314641 窒化物半導体レーザ素子
82.  特許3314620 窒化物半導体発光素子
83.  特許3309953 窒化物半導体レーザダイオード
84.  特許3307218 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
85.  特許3303645 窒化物半導体発光素子の製造方法
86.  特許3301601 窒化物半導体発光素子
87.  特許3301345 p型窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法
88.  特許3298454 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
89.  特許3298390 窒化物半導体多色発光素子の製造方法
90.  特許3292083 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
91.  特許3282175 窒化物半導体素子
92.  特許3282174 窒化物半導体発光素子
93.  特許3278108 窒化物半導体レーザ素の製造方法
94.  特許3275810 窒化物半導体発光素子
95.  特許3274907 窒化インジウムガリウム化合物半導体の成長方法
96.  特許3272588 窒化物半導体レーザ素子
97.  特許3271657 n型窒化ガリウム系化合物半導体の電極及びその形成方法
98.  特許3271645 窒化物半導体発光ダイオード
99.  特許3269070 窒化物半導体発光素子
100.  特許3267250 窒化物半導体発光素子
101.  特許3259811 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
102.  特許3257498 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
103.  特許3257344 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
104.  特許3255224 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
105.  特許3248564 窒化物半導体レーザダイオード
106.  特許3241250 窒化物半導体レーザ素子
107.  特許3235440 窒化物半導体レーザ素子とその製造方法
108.  特許3233258 窒化物半導体の電極
109.  特許3227287 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子
110.  特許3224020 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
111.  特許3223832 窒化物半導体素子及び半導体レーザダイオード
112.  特許3223810 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
113.  特許3220977 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
114.  特許3218963 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
115.  特許3218595 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
116.  特許3216596 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
117.  特許3216118 窒化物半導体素子及びその製造方法
118.  特許3212008 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
119.  特許3209233 青色発光ダイオードおよびその製造方法
120.  特許3203282 発光デバイス用窒化インジウムガリウム半導体
121.  特許3187284 n型窒化物半導体層の電極
122.  特許3180871 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその電極形成方法
123.  特許3180710 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
124.  特許3154364 n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法
125.  特許3152238 発光ダイオード
126.  特許3141824 窒化物半導体発光素子
127.  特許3135041 窒化物半導体発光素子
128.  特許3129384 窒化物半導体レーザ素子
129.  特許3101997 窒化物半導体レーザ素子
130.  特許3091593 窒化物半導体発光デバイス用積層体
131.  特許3087831 窒化物半導体素子
132.  特許3087829 窒化物半導体素子の製造方法
133.  特許3077781 窒化インジウムガリウムの成長方法
134.  特許3047960 n型窒化物半導体の電極
135.  特許3036465 発光ダイオードを用いたディスプレイ
136.  特許3019132 窒化ガリウム系化合物半導体受光素子
137.  特許3009095 窒化物半導体発光素子
138.  特許3009091 青色発光ダイオード
139.  特許2998696 発光ダイオード
140.  特許2985908 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
141.  特許2982553 発光デバイスの製造方法
142.  特許2976951 窒化物半導体発光ダイオードを備えた表示装置
143.  特許2964822 発光ダイオードの製造方法
144.  特許2956489 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
145.  特許2953326 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
146.  特許2947047 LEDチップのリードフレームへのダイボンド方法
147.  特許2932468 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
148.  特許2932467 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
149.  特許2921746 窒化物半導体レーザ素子
150.  特許2918139 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
151.  特許2917742 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法
152.  特許2914065 青色発光素子及びその製造方法
153.  特許2914014 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
154.  特許2910811 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
155.  特許2910023 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
156.  特許2900990 窒化物半導体発光素子
157.  特許2900928 発光ダイオード
158.  特許2891348 窒化物半導体レーザ素子
159.  特許2890396 窒化物半導体発光素子
160.  特許2890392 III-V族窒化物半導体発光素子
161.  特許2890390 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
162.  特許2868081 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
163.  特許2861991 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
164.  特許2859478 発光デバイス用の窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
165.  特許2836687 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
166.  特許2836686 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
167.  特許2836685 p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
168.  特許2828187 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
169.  特許2827794 p型窒化ガリウムの成長方法
170.  特許2812375 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法
171.  特許2809045 窒化物半導体発光素子
172.  特許2803742 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
173.  特許2803741 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
174.  特許2800666 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
175.  特許2795294 窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
176.  特許2791448 発光ダイオード
177.  特許2790242 窒化物半導体発光ダイオード
178.  特許2790237 多色発光素子
179.  特許2790235 窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法
180.  特許2785254 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
181.  特許2785253 窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法
182.  特許2783349 n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法
183.  特許2780691 窒化物半導体発光素子
184.  特許2780618 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
185.  特許2778405 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
186.  特許2778349 窒化ガリウム系化合物半導体の電極
187.  特許2770720 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
188.  特許2770717 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
189.  特許2751987 窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
190.  特許2751963 窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
191.  特許2748818 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
192.  特許2748355 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
193.  特許2748354 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
194.  特許2735057 窒化物半導体発光素子
195.  特許2728190 半導体レーザ素子
196.  特許2713095 半導体発光素子およびその製造方法
197.  特許2713094 半導体発光素子およびその製造方法
198.  特許2697572 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
199.  特許2687742 半導体結晶膜の表面状態測定方法
200.  特許2632239 半導体結晶膜の成長方法および装置
201.  特許2628404 半導体結晶膜の成長方法
202.  特許2591521 窒化ガリウム系化合物半導体素子
203.  特許2576819 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
204.  特許2560964 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
205.  特許2560963 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
206.  特許2556211 半導体結晶層の成長装置とその成長方法
207.  特許2540791 p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

 

2006.01.13